Material erdieroale berri meheak eta bigunak erabil daitezke mikro eta egitekonano gailu optoelektronikoak
propietateak, nanometro gutxiko lodiera, propietate optiko onak... Erreportariak Nanjing-eko Teknologia Unibertsitatetik jakin zuen ikastetxeko fisika saileko irakaslearen ikerketa-taldeak kalitate handiko bi dimentsioko berun iodurozko kristal ultramehe bat prestatu duela. , eta horren bidez bi dimentsioko trantsizio metalezko sulfuro materialen propietate optikoen erregulazioa lortzea, eguzki-zelulak fabrikatzeko ideia berri bat ematen duena etafotodetektagailuak.Emaitzak Advanced Materials nazioarteko aldizkariaren azken zenbakian argitaratu dira.
"Lehen aldiz prestatu ditugun berun iodurozko nanoxafla ultrameheak, termino teknikoa" atomikoki lodi zabaleko banda hutsune bi dimentsioko PbI2 kristalak" da, hau da, nanometro gutxiko lodiera duen material erdieroale ultramehea da. ”Sun Yan-ek, paperaren lehen egileak eta Nanjing-eko Teknologia Unibertsitateko doktoregaiak, esan zuen sintetizatzeko soluzio-metodoa erabili zutela, ekipamendu eskakizun oso baxuak dituena eta sinple, azkarra eta eraginkorraren abantailak dituena, eta bete dezakeela. azalera handiko eta etekin handiko materiala prestatzeko beharrak.Sintetizatutako berun ioduro nano xaflek triangelu edo hexagonal forma erregularra dute, 6 mikrako batez besteko tamaina, gainazal leuna eta propietate optiko onak.
Ikertzaileek berun iodurozko nanoxafla ultramehe hau bi dimentsioko trantsizio-metal sulfuroekin konbinatu zuten, artifizialki diseinatu, elkarrekin pilatu eta heterojunkzio mota desberdinak lortu zituzten, energia-mailak modu ezberdinetan antolatzen direlako, beraz, berun ioduroak efektu desberdinak izan ditzake. Bi dimentsioko trantsizio-metal sulfuro ezberdinen errendimendu optikoari buruzkoa.Banda-egitura honek eraginkortasunez hobetu dezake argi-eraginkortasuna, hau da, argi-igorleko diodoak eta laserrak bezalako gailuak ekoizteko, pantailan eta argiztapenean aplikatzen direnak, eta fotodetektagailuen arloan erabil daiteke.gailu fotovoltaikoak.
Lorpen honek bi dimentsioko trantsizio metaliko sulfuroko materialen propietate optikoen erregulazioa lortzen du berun ioduro ultramehearen bidez.Silizioan oinarritutako materialetan oinarritutako gailu optoelektroniko tradizionalekin alderatuta, lorpen honek malgutasun, mikro eta nano ezaugarriak ditu.Hori dela eta, malgu eta integratua prestatzeko aplika daitekegailu optoelektronikoak.Mikro eta nano gailu optoelektroniko integratuen alorrean aplikazio zabala du, eta ideia berri bat eskaintzen du eguzki-zelulak, fotodetektagailuak eta abar fabrikatzeko.
Argitalpenaren ordua: 2023-09-20