Berriak

  • Lainoaren printzipioa eta sailkapena

    Lainoaren printzipioa eta sailkapena

    Lainoaren printzipioa eta sailkapena (1)printzipioa Lainoaren printzipioari Sagnac efektua deritzo fisikan. Argi-bide itxi batean, argi-iturri bereko bi argi-izpi interferentziak izango dira detekzio-puntu berera elkartzen direnean. Argiaren bide itxiak errotazio erlazioa badu...
    Gehiago irakurri
  • Akoplagailu direzionalen funtzionamendu-printzipioa

    Akoplagailu direzionalen funtzionamendu-printzipioa

    Akoplagailu direzionalak mikrouhin/milimetroko uhinen osagai estandarrak dira mikrouhinen neurketan eta mikrouhin-sistemetan. Seinaleak isolatzeko, bereizteko eta nahasteko erabil daitezke, hala nola potentzia monitorizatzeko, iturriaren irteerako potentzia egonkortzeko, seinale iturrien isolamendurako, transmisiorako eta errefl...
    Gehiago irakurri
  • Zer da EDFA Amplifier

    Zer da EDFA Amplifier

    EDFA (Erbium-doped Fiber Amplifier), lehenengoz 1987an erabilera komertzialerako asmatua, DWDM sisteman gehien zabaldutako anplifikadore optikoa da, Erbioz dopatutako zuntza anplifikazio optikoko euskarri gisa erabiltzen duena seinaleak zuzenean hobetzeko. Hainbat seinaleen berehalako anplifikazioa ahalbidetzen du.
    Gehiago irakurri
  • Potentzia txikiena duen argi-fase-moduladore ikusgarririk txikiena jaio da

    Potentzia txikiena duen argi-fase-moduladore ikusgarririk txikiena jaio da

    Azken urteotan, hainbat herrialdetako ikertzaileek fotonika integratua erabili dute argi infragorrien uhinen manipulazioaz segidan konturatzeko eta abiadura handiko 5G sareetan, txip sentsoreetan eta ibilgailu autonomoetan aplikatzeko. Gaur egun, ikerketa-ildo honen etengabeko sakontzearekin...
    Gehiago irakurri
  • 42,7 Gbit/S Modulatzaile Elektrooptikoa Silizioko Teknologian

    42,7 Gbit/S Modulatzaile Elektrooptikoa Silizioko Teknologian

    Modulatzaile optiko baten propietate garrantzitsuenetako bat modulazio-abiadura edo banda-zabalera da, gutxienez eskuragarri dagoen elektronika bezain azkarra izan behar duena. 100 GHz-tik gorako igarotze-maiztasunak dituzten transistoreak dagoeneko frogatu dira 90 nm-ko silizio teknologian, eta abiadura izango da...
    Gehiago irakurri