Iaz, Txinako Zientzien Akademiako Hefei Institutuko Eremu Magnetiko Handiko Zentroko ikertzaile den Sheng Zhigaoren taldeak, terahertz-eko modulatzaile elektrooptiko aktibo eta adimentsua garatu zuen, egoera egonkorrean eremu magnetiko handiko esperimentuan oinarrituz. gailua. Ikerketa ACS Applied Materials & Interfaces aldizkarian argitaratu da.
Terahertz teknologiak ezaugarri espektral handiagoak eta aplikaziorako aukera zabalak baditu ere, bere ingeniaritza aplikazioa oraindik oso mugatuta dago terahertz materialen eta terahertz osagaien garapenak. Horien artean, terahertz-uhinaren kontrol aktibo eta adimentsua kanpoko eremuaren arabera ikerketa-ildo garrantzitsua da alor honetan.
Terahertz oinarrizko osagaien puntako ikerketa-norabideari begira, ikerketa-taldeak bi dimentsioko material grafenoan oinarritutako terahertzeko estres moduladorea asmatu du [Adv. Mater optikoa. 6, 1700877 (2018)], Terahertz banda zabaleko fotokontrolatutako moduladorea, oso lotuta dagoen oxidoan oinarrituta [ACS Appl. Mater. Inter. 12, 48811 (2020)] eta fonoietan oinarritutako maiztasun bakarreko magnetikoz kontrolatutako terahertz iturri berriaren ondoren [Advanced Science 9, 2103229 (2021)], elektroi oxidoko banadio dioxidoaren filma hautatzen da geruza funtzional gisa, geruza anitzeko egitura gisa. diseinua eta kontrol elektronikoko metodoa hartzen dira. Terahertz transmisioaren, islatzearen eta xurgapenaren modulazio aktiboa funtzio anitzekoa lortzen da (a irudia). Emaitzek erakusten dute transmisioaz eta xurgagarritasunaz gain, isladatze eta islatze fasea ere aktiboki erregulatu daitekeela eremu elektrikoaren bidez, non islapen-modulazio-sakonera %99,9ra iritsi daitekeela eta islapen-fasea ~180o-ko modulaziora iritsi daitekeela (b irudia) . Interesgarriagoa dena, terahertz-kontrol elektriko adimenduna lortzeko, ikertzaileek gailu bat diseinatu zuten "terahertz - elektriko-terahertz" feedback begizta berri batekin (c irudia). Hasierako baldintzen eta kanpoko ingurunearen aldaketak gorabehera, gailu adimenduna automatikoki irits daiteke ezarritako (espero) terahertz modulazio-balioa 30 segundotan.
(a) An baten eskema eskematikoamodulatzaile elektrooptikoaVO2n oinarrituta
(b) inprimatutako korrontearekin transmisio-, islapen-, xurgagarritasun- eta isla-fase-aldaketak
(c) Kontrol adimendunaren eskema eskematikoa
Terahertz aktibo eta adimentsu baten garapenamodulatzaile elektro-optikoalotutako material elektronikoetan oinarritutako terahertz kontrol adimenduna gauzatzeko ideia berri bat eskaintzen du. Lan hau Ikerketa eta Garapenerako Programa Nazionalak, Natur Zientzien Fundazio Nazionalak eta Anhui Probintziako Eremu Magnetikoko Laborategiaren Zuzendaritza Funtsak lagundu zuen.
Argitalpenaren ordua: 2023-08-08